(1)平面由工藝決定，半導體潔凈車間的工藝布局應適應電子產品發展的靈活性，滿足產品生產工藝改造和擴大生產的需求。
(2)主體結構宜采用大空間及大跨度柱網，不宜采用內墻承重體系。
(3)大型半導體潔凈車間常采用上技術夾層、下技術夾層這種“夾心”式多層構造。
(4)應考慮大型生產工藝設備的安裝、維修要求，設置必要的運輸通道和不影響潔凈生產環境的安裝口或檢修口。
(5)半導體潔凈車間按二級耐火等級設計。
(6)特種氣體的儲存和分配間應有耐火隔墻與潔凈室(區)分開，該墻耐火極限不低于1H。有毒的硅烷或其混合物氣瓶存區至少三面是敞開的，氣瓶與周圍構筑物或圍欄之間的距離應大于3M，儲存區設置的雨篷應不低于3.5M。
(7)半導體潔凈車間的裝飾材料不得采用釋放對電子產品有影響的物質的材料。
(8)半導體潔凈車間允許設空氣吹淋室，這是和一般生物潔凈室不同的。吹淋室應與潔凈工作服更衣室相鄰。單人吹淋室按最大班人數為30人一間設計，當工作人員超過5人時，應設旁門，當人數太多或為了縮短通過時間，也可設隧道式吹淋室。
(9)對于高級別潔凈室，為了盡可能不影響氣流的單向性、平行性，照明燈具采用凈化淚珠形燈具。
(11)半導體潔凈車間對防微振的特殊要求，在廠地環境上應避開振動源。
(12)半導體潔凈車間除有一般給排水要求外，對超大規格半導體的用水也有標準。
